Quest’oggi la redazione di Xtremehardware.com in anteprima italiana ed in collaborazione con Avexir vi presenta le Avexir Blitz 1.1. Le Blitz 1.1 sono state a lungo studiate per garantire un prodotto che coniugasse doti di overclock ad un design unico e ricercato. Le Blitz 1.1 sono uniche nel loro genere e sono disponibili in vari tagli e modelli con un design personalizzato per le più diffuse e conosciute schede madri in commercio. In questa recensione andremo ad analizzare sette banchi di ram i quali rappresentano ognuno una personalizzazione per una data scheda madre. Le Blitz 1.1 sono disponibili per la serie MPower di MSI, OC Formula di ASRock, Ultra Durable di Gigabyte o ancora L337 di ECS. Avexir ha creato anche un modello per le serie ROG di ASUS ma a differenza di altri modelli non hanno riferimenti, se non estetici, a questa serie.

Sistema di prova e metodologia di test

Abbiamo effettuato i nostri test con una piattaforma Intel LGA 1150, con CPU dotata di architettura Haswell. Nel dettaglio:

Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,50V per la frequenza standard di 1600Mhz, il quale viene impostato anche selezionando i profili XMP.  Sulle CPU di architettura Ivy Bridge così come Haswell è consigliato mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller. Sicuramente con le Blitz 1.1 di Avexir ci aspettiamo ottime prestazioni unite ad un effetto visivo.

Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:

• CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
• Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
• Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
• RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.