Il settore delle memorie RAM subisce fasi piuttosto altalenanti. Dopo un periodo di stasi, si prepara ora a nuova vita con l'introduzione delle piattaforme Haswell, che sembrano disporre di un memory controller migliorato, in grado di supportare frequenze molto elevate. Nel frattempo, i produttori non hanno aspettato nel rinfrescare il loro portfolio di prodotti, dedicati a professionisti, videogiocatori, e overclockers. Quest’oggi la redazione di Xtremehardware.com proverà per voi il kit AX3U1866XW8G10-2X da 16 GB della serie XPG di ADATA, memorie RAM che cercano di soddisfare una grossa fetta dell'utenza enthusiast. Il kit in nostro possesso ha una frequenza base di 1866 MHz CL10 con soli 1.5V ma come vedremo ha molto da offrire. ADATA con il seguente kit si rivolge a tutti gli utenti che cercano sempre le massime prestazioni dal proprio computer. Non ci resta che proseguire in questa recensione per analizzarle al meglio.

Sistema di prova e metodologia di test

Abbiamo effettuato i nostri test con una piattaforma Intel LGA 1155, con CPU dotata di architettura Ivy Bridge. Nel dettaglio:

Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,50V per la frequenza standard di 1866 Mhz, il quale viene impostato anche selezionando i profili XMP.  Sulle CPU di architettura Ivy Bridge è necessario mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller. Sicuramente con il kit AX3U1866XW8G10-2X di ADATA non dovremo preoccuparci di questo aspetto.

Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:

• CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
• Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
• Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
• RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.